對于柔性顯示器、柔性太陽能電池、柔性傳感器等柔性電子器件，光學透明導電膜是至關重要的部件。其中，氧化銦錫(ITO)因其良好的光學透明性和導電性，被廣泛用于制備各種柔性透明導電膜。為了獲得更好的導電性，ITO通常需要在250℃以上退火，實現其從非晶結構向多晶結構的轉變。然而，高溫退火對導電膜的光學透明性有負面影響，如何平衡ITO導電膜的導電性和透過率是一個技術挑戰(zhàn)。

近期，研究工作人員進行發(fā)展了一種磁控濺射技術沉積ITO薄膜的低溫以及等離子體退火過程中工藝，研究了等離子體氬氣（Ar）與氧氣（O2）的類型企業(yè)及其經濟持續(xù)學習時間等對薄膜的透光性與電阻率的影響，并經中國低溫（＜50℃）處理可以同時也是實現了ITO薄膜的高透光率和低電阻率。

結果表明: 透明導電薄膜的微觀結構在很大程度上取決于 ITO 的沉積條件和退火工藝，濺射功率和 O _ 2濃度對薄膜的性能有重要影響。研究人員首先以450μm 厚的浮法玻璃為基底，采用100W 的低濺射功率和6vol% O2濃度，然后對300W Ar 等離子體進行40min 退火，制備出綜合性能良好的薄膜?？梢姽鈪^(qū)平均透過率為94% ，電阻率為2.3 × 10? ？3ω · cm.

相比之下，無O2濺射制備的導電膜透過率為89%，電阻率為0.9×10？3ω厘米.這表明用Ar等離子體的退火處理更有效。此外，發(fā)現等離子退火工藝可以并行處理多個晶片，這與激光束工藝不同。退火處理的深度約為370納米。

在玻璃表面制備 ITO 導電薄膜工藝參數的基礎上，進一步采用旋涂法制備的5μm 厚聚酰亞胺(PI)薄膜作為襯底，在50 °C 下制備透明的 ITO 導電薄膜并進行退火處理，實現了全透明柔性光學探針。低溫處理技術使得在低溫下制備聚合物透明 ITO 導電薄膜成為可能，在光學和電子器件領域具有良好的應用前景。